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领域:
不限
基础理论
应用技术
软科学
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1980年
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类别:
不限
先进制造
地球、空间与海洋
新材料
新能源与节能
核应用技术
环境保护
现代农业
生物医药与医疗器械
电子信息
航空航天
区域:
敏感器件及材料研究
年份:1996年
领域:应用技术
类别:电子信息
采用中子嬗变掺杂直拉硅制造器件,设计了周边固支的圆平面磨片式弹性力学结构,增设温度自动补偿环节,采用微区均匀性极高的NTDCZSI片,含辐照缺陷的抛光硅片直接进入氧化工艺,实现了CZSI片中氧的可..
硅片超薄片加工及损伤机理的研究
年份:1996年
领域:应用技术
类别:电子信息
研究提出确定切片时装刀同心度,是造成损伤和影响薄片出片率的关键,内圆刀片圆心应尽量与主轴中心生命,解决了磨液和研磨压力、速度、磨盘转速和沟槽大小载片、研磨参数以及轻微划痕的出现原因与消除等问题..
直拉硅中等价掺杂(锗)研究
年份:1996年
领域:应用技术
类别:电子信息
研究是在硅单晶生长中进行同价掺杂(锗),获得了减少锗蒸发和在硅中均匀分布的优化生长工艺,热处理结果证实锗能明显抑氧施主的形成,锗的掺入,改变了直拉硅中本征点缺陷的性质与浓度,有利于实现氧的可控..
集成电路用P型硅片的缺陷控制与利用
年份:1996年
领域:应用技术
类别:电子信息
该成果为内吸除技术,对达到所需电阻率的P型硅单晶进行快中子辐照,硅晶体中引入空位、空位团、硅间隙原子、间隙原子团等辐照缺陷,在空位的参与下,加速了硅片表面氧的外扩散,形成无缺陷的表面剥光区,在..
NTD硅中"辐照施主"的形成机理与结构
年份:1996年
领域:应用技术
类别:电子信息
研究了NTDCZSI的退火行为、辐照施主的产生与湮灭条件,提供了合理的退火工艺,使得NTDCZSI得以保证稳定可靠的参数和参数的高质量、高均匀性,器件成品率提高了20--40%,国际先进水平。
系列温补、压控石英晶体振荡器的研究
年份:1996年
领域:应用技术
类别:电子信息
温度补偿晶体振荡器全部采用国产元件及温补晶振专用集成电路,设计合理,结构紧凑,调试及补偿网络计算软件实用灵活,体积小,功耗低,完全达到国外同类产品水平。压控晶体振荡器频率稳定、输出波形好,温补网络..
运算跨导放大器滤波器理论研究
年份:1996年
领域:应用技术
类别:电子信息
主要理论成果概括为: (1)运算跨导放大器(OTA)双二次滤波器电路生成理论:包括多功能滤波和单OTA滤波电路生成理论。 (2)高阶OTA滤波器设计理论:包括节点电压模拟法、信号流图法..
SG4009-A匀胶溅射铬版
年份:1996年
领域:应用技术
类别:电子信息
SG4009—A匀胶溅射铬版是为半导体大规模和超大规模集成电路研制的高品质的掩模材料,其产品主要技术指标如下:铬膜厚度:110±10nm;光密度:2.2±0.2白光下测量;膜面反射率:≤14%;胶..
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